> 而这门高能等离子体攻击武器在深井内部，由分子组装制造的能源转化发射器，以及高等离子能量运输通道和蓄能装置，以及发射通道都被一层需要时就可以启动的强磁场所保护。

因为哪怕是分子级别的材料也难以承受那夸张的高能等离子体的能量。

发射器活动基座可以在420米深的发射井中调节自身位置，由通道中可控磁场约束装置辅助改变能量攻击散射或是集中，该套能量攻击武器最大的散射面是170°x170°。